Suppr超能文献

确定(Ga,Mn)As 价带中 Mn 态的电子特性和作用。

Identifying the electronic character and role of the Mn states in the valence band of (Ga,Mn)As.

机构信息

Istituto Officina dei Materiali (IOM)-CNR, Laboratorio TASC, in Area Science Park, S.S.14, Km 163.5, I-34149 Trieste, Italy.

出版信息

Phys Rev Lett. 2013 Aug 30;111(9):097201. doi: 10.1103/PhysRevLett.111.097201. Epub 2013 Aug 27.

Abstract

We report high-resolution hard x-ray photoemission spectroscopy results on (Ga,Mn)As films as a function of Mn doping. Supported by theoretical calculations we identify, for both low (1%) and high (13%) Mn doping values, the electronic character of the states near the top of the valence band. Magnetization and temperature-dependent core-level photoemission spectra reveal how the delocalized character of the Mn states enables the bulk ferromagnetic properties of (Ga,Mn)As.

摘要

我们报告了(Ga,Mn)As 薄膜随 Mn 掺杂变化的高分辨率硬 X 射线光电子能谱结果。通过理论计算的支持,我们确定了在低(1%)和高(13%)Mn 掺杂值下,价带顶部附近的电子态的特性。磁化和温度依赖的芯层光电子能谱揭示了 Mn 态的离域特性如何使(Ga,Mn)As 具有体铁磁性。

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