InxGa1-xAs/GaAs应变量子阱中的激子结合能 - Suppr

Exciton binding energy in InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells.

Hou HQ, Segawa Y, Aoyagi Y, Namba S, Zhou JM

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Jul 15;42(2):1284-1289. doi: 10.1103/physrevb.42.1284.

Abstract

摘要

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Jul 15;42(2):1284-1289. doi: 10.1103/physrevb.42.1284.

Phys Rev B Condens Matter. 1994 Nov 15;50(19):14381-14388. doi: 10.1103/physrevb.50.14381.

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Phys Rev B Condens Matter. 1996 Oct 15;54(15):10312-10315. doi: 10.1103/physrevb.54.10312.

Phys Rev B Condens Matter. 1991 Feb 15;43(5):4152-4157. doi: 10.1103/physrevb.43.4152.

Phys Rev B Condens Matter. 1988 Nov 15;38(15):10978-10980. doi: 10.1103/physrevb.38.10978.

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Phys Rev B Condens Matter. 1989 Nov 15;40(14):10017-10020. doi: 10.1103/physrevb.40.10017.

Phys Rev B Condens Matter. 1992 Dec 15;46(23):15290-15301. doi: 10.1103/physrevb.46.15290.

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