（100）硅衬底上 ZnO 薄膜的瑞利波和切横声表面特性。
Rayleigh and shear horizontal surface acoustic properties of (100) ZnO films on silicon.
出版信息
IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control. 2010 May;57(5):1237-9. doi: 10.1109/TUFFC.2010.1537.
(100) ZnO films on silicon will excite Rayleigh SAWs along the z-axis and shear horizontal (SH) SAWs along the y-axis. Rayleigh SAW modes of (100) ZnO films on silicon have smaller film thickness ratios, higher phase velocities, and larger electromechanical coupling coefficient (K(2)) than the those of (002) ZnO films on silicon. This is special for Rayleigh mode 1, where the K(2) curve shows a maximum value of 3.37% at h/lambda = 0.28 and the velocity is 5258 m/s. This is special for SH mode 0, where the K(2) curve shows a maximum value of 3.3% at h/lambda = 0.28 and the velocity is 3242 m/s.
硅衬底上的 ZnO 薄膜将沿 z 轴激发瑞利声表面波，沿 y 轴激发切向水平（SH）声表面波。硅衬底上的（100）取向 ZnO 薄膜的瑞利声表面波模式的薄膜厚度比更小、相速度更高、机电耦合系数（K（2））更大，优于硅衬底上的（002）取向 ZnO 薄膜。这对于瑞利模式 1 来说是特殊的，其中 K（2）曲线在 h/λ=0.28 时显示出 3.37%的最大值，速度为 5258 m/s。这对于 SH 模式 0 来说也是特殊的，其中 K（2）曲线在 h/λ=0.28 时显示出 3.3%的最大值，速度为 3242 m/s。
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