Department of Chemistry, Azadshahr Branch, Islamic Azad University, Azadshahr, Golestan, Iran.
J Mol Model. 2012 Sep;18(9):4477-89. doi: 10.1007/s00894-012-1440-1. Epub 2012 May 29.
Structural, electronic, and electrical responses of the H-capped (6,0) zigzag single-walled aluminum nitride nanotube was studied under the parallel and transverse electric fields with strengths 0-140 × 10(-4) a.u. by using density functional calculations. Geometry optimizations were carried out at the B3LYP/6-31G* level of theory using a locally modified version of the GAMESS electronic structure program. The dipole moments, atomic charge variations, and total energy of the (6,0) zigzag AlNNT show increases with increase in the applied external electric field strengths. The length, tip diameters, electronic spatial extent, and molecular volume of the nanotube do not significantly change with increasing electric field strength. The energy gap of the nanotube decreases with increases of the electric field strength and its reactivity is increased. Increase of the ionization potential, electron affinity, chemical potential, electrophilicity, and HOMO and LUMO in the nanotube with increase of the applied parallel electric field strengths shows that the parallel field has a much stronger interaction with the nanotube with respect to the transverse electric field strengths. Analysis of the parameters indicates that the properties of AlNNTs can be controlled by the proper external electric field.
采用密度泛函理论在 B3LYP/6-31G水平上,利用 GAMESS 电子结构程序的局部修正版本,对 H 帽(6,0)锯齿型单壁氮化铝纳米管在平行和横向电场强度为 0-140×10(-4) a.u.下的结构、电子和电响应进行了研究。通过使用 GAMESS 电子结构程序的局部修改版本,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G水平上进行了密度泛函理论计算。采用局部修正的 GAMESS 电子结构程序,在 B3LYP/6-31G*水平上进行了密度泛函理论计算。