• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Optical properties of excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As symmetric double quantum wells.

作者信息

Westgaard T, Zhao QX, Fimland BO, Johannessen K, Johnsen L

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1992 Jan 15;45(4):1784-1792. doi: 10.1103/physrevb.45.1784.

DOI:10.1103/physrevb.45.1784
PMID:10001680
Abstract
摘要

相似文献

1
Optical properties of excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As symmetric double quantum wells.GaAs/Al0.3Ga0.7As对称双量子阱中激子的光学性质。
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Jan 15;45(4):1784-1792. doi: 10.1103/physrevb.45.1784.
2
Electric-field effects on exciton lifetimes in symmetric coupled GaAs/Al0.3Ga0.7As double quantum wells.电场对对称耦合GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子寿命的影响
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Nov 15;42(14):9225-9228. doi: 10.1103/physrevb.42.9225.
3
Intersubband optical absorption in heavily doped n-type GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum wells.重掺杂n型GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱中的子带间光吸收。
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Sep 15;46(11):7208-7211. doi: 10.1103/physrevb.46.7208.
4
Origin of the blueshift in the intersubband infrared absorption in GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum wells.GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱中带间红外吸收蓝移的起源。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Apr 15;43(12):9996-9999. doi: 10.1103/physrevb.43.9996.
5
Tunneling-induced optical nonlinearities in asymmetric Al0.3Ga0.7As/GaAs double-quantum-well structures.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Dec 15;42(17):11147-11158. doi: 10.1103/physrevb.42.11147.
6
Enhancement of the free-to-bound transition in narrow GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum wells via a possible excitonic Auger mechanism.通过一种可能的激子俄歇机制增强窄GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱中自由态到束缚态的跃迁。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Jan 15;41(3):1489-1496. doi: 10.1103/physrevb.41.1489.
7
Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well nanostructures on (100) si substrate using a 1-nm InAs relief layer.
J Nanosci Nanotechnol. 2014 Apr;14(4):2984-9. doi: 10.1166/jnn.2014.8593.
8
Photoluminescence-excitation-correlation spectroscopic study of a high-density two-dimensional electron gas in GaAs/Al0.3Ga0.7As modulation-doped quantum wells.GaAs/Al0.3Ga0.7As调制掺杂量子阱中高密度二维电子气的光致发光激发相关光谱研究
Phys Rev B Condens Matter. 1994 Feb 15;49(7):4640-4645. doi: 10.1103/physrevb.49.4640.
9
Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs.用于808纳米垂直腔面发射激光器的砷化镓、磷砷化镓和铟镓铝砷量子阱有源区的设计与比较。
Opt Express. 2011 Jun 20;19(13):12569-81. doi: 10.1364/OE.19.012569.
10
Temperature transformations of optical spectra in semiconductor flat heterostructures with quantum wells.具有量子阱的半导体平面异质结构中光谱的温度变换
Appl Opt. 2016 Apr 20;55(12):B49-55. doi: 10.1364/AO.55.000B49.