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Radiative lifetimes, quasi-Fermi-levels, and carrier densities in GaAs-(Ga,Al)As quantum-well photoluminescence under steady-state excitation conditions.

作者信息

Oliveira LE

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1993 Nov 15;48(20):15092-15102. doi: 10.1103/physrevb.48.15092.

DOI:10.1103/physrevb.48.15092
PMID:10008041
Abstract
摘要

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Radiative lifetimes, quasi-Fermi-levels, and carrier densities in GaAs-(Ga,Al)As quantum-well photoluminescence under steady-state excitation conditions.稳态激发条件下 GaAs-(Ga,Al)As 量子阱光致发光中的辐射寿命、准费米能级和载流子密度
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