自然价带偏移的测定：HgTe-CdTe的情况。 - Suppr | 超能文献

Determination of a natural valence-band offset: The case of HgTe-CdTe.

作者信息

Shih CK, Spicer WE

出版信息

Phys Rev Lett. 1987 Jun 15;58(24):2594-2597. doi: 10.1103/PhysRevLett.58.2594.

DOI:10.1103/PhysRevLett.58.2594

Abstract

摘要

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

相似文献

1

Determination of a natural valence-band offset: The case of HgTe-CdTe.自然价带偏移的测定：HgTe-CdTe的情况。

Phys Rev Lett. 1987 Jun 15;58(24):2594-2597. doi: 10.1103/PhysRevLett.58.2594.

2

Valence-band-offset transitivity at HgTe/CdTe, HgTe/InSb, and CdTe/InSb interfaces.HgTe/CdTe、HgTe/InSb和CdTe/InSb界面处的价带偏移传递性。

Phys Rev B Condens Matter. 1993 Feb 15;47(7):3714-3717. doi: 10.1103/physrevb.47.3714.

3

Far-infrared determination of effective mass and valence-band offset in the HgTe/CdTe superlattice.HgTe/CdTe超晶格中有效质量和价带偏移的远红外测定

Phys Rev B Condens Matter. 1989 Sep 15;40(8):5613-5616. doi: 10.1103/physrevb.40.5613.

4

Valence-band-offset controversy in HgTe/CdTe superlattices: A possible resolution.

Phys Rev Lett. 1988 Oct 24;61(17):1993-1995. doi: 10.1103/PhysRevLett.61.1993.

5

Cyclotron resonance in HgTe/CdTe-based heterostructures in high magnetic fields.在高磁场下 HgTe/CdTe 基异质结构中的回旋共振。

Nanoscale Res Lett. 2012 Sep 26;7(1):534. doi: 10.1186/1556-276X-7-534.

6

Evidence for a large valence-band offset at HgTe-CdTe heterojunctions.HgTe-CdTe异质结处存在大价带偏移的证据。

Phys Rev B Condens Matter. 1989 Nov 15;40(15):10615-10616. doi: 10.1103/physrevb.40.10615.

7

Additional evidence concerning the valence-band offset in HgTe/CdTe.关于HgTe/CdTe价带偏移的更多证据。

Phys Rev B Condens Matter. 1991 May 15;43(14):12057-12059. doi: 10.1103/physrevb.43.12057.

8

CdTe-HgTe (1-bar 1-bar 1-bar) heterojunction valence-band discontinuity: A common-anion-rule contradiction.碲化镉-碲化汞（1巴 1巴 1巴）异质结价带不连续性：一个常见阴离子规则的矛盾。

Phys Rev Lett. 1986 Apr 14;56(15):1605-1608. doi: 10.1103/PhysRevLett.56.1605.

9

Comment on "Linearity. of valence-band discontinuity in heterojunctions with Te-based II-VI semiconductors: CdTe, HgTe, and ZnTe".关于“与碲基II-VI族半导体（碲化镉、碲化汞和碲化锌）形成的异质结中价带不连续性的线性关系”的评论

Phys Rev Lett. 1988 Jun 13;60(24):2560. doi: 10.1103/PhysRevLett.60.2560.

10

Linearity (commutativity and transitivity) of valence-band discontinuity in heterojunctions with Te-based II-VI semiconductors: CdTe, HgTe, and ZnTe.与碲基II-VI族半导体（碲化镉、碲化汞和碲化锌）形成的异质结中价带不连续性的线性（可交换性和可传递性）

Phys Rev Lett. 1987 Mar 16;58(11):1127-1130. doi: 10.1103/PhysRevLett.58.1127.

引用本文的文献

1

Determination of band alignment in the single-layer MoS2/WSe2 heterojunction.单层MoS2/WSe2异质结中能带排列的测定。

Nat Commun. 2015 Jul 16;6:7666. doi: 10.1038/ncomms8666.