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Observation of a novel relaxation process associated with electronic transitions from deep (D) defects in hydrogenated amorphous silicon.

作者信息

Cohen JD, Leen TM, Rasmussen RJ

出版信息

Phys Rev Lett. 1992 Dec 7;69(23):3358-3361. doi: 10.1103/PhysRevLett.69.3358.

DOI:10.1103/PhysRevLett.69.3358
PMID:10046798
Abstract
摘要

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