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基于CdSe的纳米晶体发光二极管的逐层生长。

Layer-by-layer growth of CdSe-based nanocrystal light-emitting diodes.

作者信息

Lee J, Mathai M, Jain F, Papadimitrakopoulos F

机构信息

Nanomaterials Optoelectronics Laboratory, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA.

出版信息

J Nanosci Nanotechnol. 2001 Mar;1(1):59-64. doi: 10.1166/jnn.2001.009.

DOI:10.1166/jnn.2001.009
PMID:12914033
Abstract

The partial exchange of surface-passivating trioctylphosphine oxide (TOPO) on CdSe and ZnS-clad CdSe (CdSe/ZnS) nanocrystals with primary amines was utilized to grow ultra-thin films of these nanocrystals under nonaqueous conditions. This growth was achieved using 1,12-diaminododecane in a layer-by-layer assembly format, where one of the amino groups binds with the nanocrystal surface and the other regenerates the interface for further binding of nanocrystals. The nature of the growth is dependent on the relative surface affinity between the TOPO and the primary amine toward the zinc or cadmium sites on the nanocrystals. Using this technique, high-quality luminescent films of these nanocrystals can be built with well-defined thicknesses. Electroluminescent devices have been fabricated using this methodology.

摘要

利用伯胺与硒化镉(CdSe)以及硫化锌包覆的硒化镉(CdSe/ZnS)纳米晶体表面钝化剂三辛基氧化膦(TOPO)进行部分交换,在非水条件下生长这些纳米晶体的超薄膜。这种生长是通过1,12 - 二氨基十二烷以逐层组装的形式实现的,其中一个氨基与纳米晶体表面结合,另一个则使界面再生以进一步结合纳米晶体。生长的性质取决于TOPO和伯胺对纳米晶体上锌或镉位点的相对表面亲和力。使用这种技术,可以构建具有明确厚度的高质量这些纳米晶体的发光薄膜。已经使用这种方法制造了电致发光器件。

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