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丙烯腈在Si(001)上反应的理论研究。

Theoretical study of the reaction of acrylonitrile on Si(001).

作者信息

Cho Jun-Hyung, Kleinman Leonard

机构信息

Department of Physics, Hanyang University, 17 Haengdang-Dong, Seongdong-Ku, Seoul 133-791, Korea.

出版信息

J Chem Phys. 2004 Jul 15;121(3):1557-61. doi: 10.1063/1.1763835.

DOI:10.1063/1.1763835
PMID:15260703
Abstract

Two recent experiments for adsorbed acrylonitrile on the Si(001) surface reported different adsorption structures at 110 and 300 K. We investigate the reaction of acrylonitrile on Si(001) by first-principles density-functional calculations. We find that the so-called [4+2] structure in which acrylonitrile resides between two dimer rows is not only thermodynamically favored over other structural models but also easily formed via a precursor where the N atom of acrylonitrile is attached to the down atom of the Si dimer. The additional initial-state theory calculation for the C 1s core levels of adsorbed acrylonitrile provides an interpretation for the observed low- and room-temperature adsorption configurations in terms of the precursor and [4+2] structures, respectively.

摘要

最近有两个关于丙烯腈吸附在Si(001)表面的实验,报道了在110K和300K时不同的吸附结构。我们通过第一性原理密度泛函计算研究了丙烯腈在Si(001)上的反应。我们发现,所谓的[4+2]结构(即丙烯腈位于两个二聚体行之间)不仅在热力学上比其他结构模型更有利,而且很容易通过一种前驱体形成,在该前驱体中丙烯腈的N原子与Si二聚体的向下原子相连。对吸附丙烯腈的C 1s芯能级的额外初态理论计算,分别根据前驱体和[4+2]结构,对观察到的低温和室温吸附构型提供了解释。

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