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接枝在氧化硅纳米线上的碳纳米管。

Carbon nanotubes grafted on silicon oxide nanowires.

作者信息

Meng Guowen, Cao Anyuan, Cheng Ju-Yin, Ajayan Pulickel M

机构信息

Department of Materials Science & Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA.

出版信息

J Nanosci Nanotechnol. 2004 Sep;4(7):712-5. doi: 10.1166/jnn.2004.100.

DOI:10.1166/jnn.2004.100
PMID:15570949
Abstract

In this article, we report the grafting of multi-walled carbon nanotubes on silica nanowires by directly growing nanotubes on the surfaces of the nanowires via chemical vapor deposition (CVD) using ferrocene and xylene as Fe catalyst precursor and carbon source, respectively. The grafted carbon nanotubes are a few micrometers long with diameters of 10 to approximately 30 nm, and grow uniformly along the lengths of the nanowires. The distribution density of the grafted carbon nanotubes on the silica nanowires can be tuned by simply adjusting the CVD growth temperature. Our method provides a simple approach for synthesizing nanometer scale grafted heterostructures between nanotubes and nanowires, which could be used to design and construct high-performance filters, chemical sensors and reinforced composites.

摘要

在本文中,我们报道了通过化学气相沉积(CVD)法,以二茂铁和二甲苯分别作为铁催化剂前驱体和碳源,在二氧化硅纳米线表面直接生长纳米管,从而实现多壁碳纳米管在二氧化硅纳米线上的接枝。接枝的碳纳米管长度为几微米,直径为10至约30纳米,并且沿着纳米线的长度均匀生长。通过简单地调节CVD生长温度,可以调控接枝在二氧化硅纳米线上的碳纳米管的分布密度。我们的方法为合成纳米管与纳米线之间的纳米级接枝异质结构提供了一种简单途径,该异质结构可用于设计和构建高性能过滤器、化学传感器及增强复合材料。

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