在亚微米尺寸的绝缘体上硅波导中实现高拉曼增益的演示。

Demonstration of high Raman gain in a submicrometer-size silicon-on-insulator waveguide.

作者信息

Xu Qianfan, Almeida Vilson R, Lipson Michal

机构信息

School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, 411 Phillips Hall, Ithaca, New York 14853, USA.

出版信息

Opt Lett. 2005 Jan 1;30(1):35-7. doi: 10.1364/ol.30.000035.

DOI:10.1364/ol.30.000035

PMID:15648629

Abstract

We show high Raman gain in a silicon submicrometer-size planar waveguide. Using high-confinement structures and picosecond pump pulses, we show 3.1-dB net internal gain with 2.8-W peak pump power in a 7-mm-long waveguide. We also analyze experimentally and theoretically the effect of free-carrier absorption on the Raman gain.

摘要

我们展示了硅亚微米尺寸平面波导中的高拉曼增益。通过使用高限制结构和皮秒泵浦脉冲，我们在一个7毫米长的波导中，以2.8瓦的峰值泵浦功率实现了3.1分贝的净内部增益。我们还通过实验和理论分析了自由载流子吸收对拉曼增益的影响。