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不同电荷载流子密度样品的卡西米尔力差异的演示。

Demonstration of the difference in the Casimir force for samples with different charge-carrier densities.

作者信息

Chen F, Klimchitskaya G L, Mostepanenko V M, Mohideen U

机构信息

Department of Physics, University of California, Riverside, California 92521, USA.

出版信息

Phys Rev Lett. 2006 Oct 27;97(17):170402. doi: 10.1103/PhysRevLett.97.170402. Epub 2006 Oct 24.

DOI:10.1103/PhysRevLett.97.170402
PMID:17155446
Abstract

A measurement of the Casimir force between a gold coated sphere and two Si plates of different carrier densities is performed using a high vacuum based atomic force microscope. The results are compared with the Lifshitz theory and good agreement is found. Our experiment demonstrates that by changing the carrier density of the semiconductor plate by several orders of magnitude it is possible to modify the Casimir interaction. This result may find applications in nanotechnology.

摘要

利用基于高真空的原子力显微镜测量了镀金球体与两个载流子密度不同的硅板之间的卡西米尔力。将结果与 Lifshitz 理论进行了比较,发现吻合度良好。我们的实验表明,通过将半导体板的载流子密度改变几个数量级,可以改变卡西米尔相互作用。这一结果可能在纳米技术中得到应用。

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引用本文的文献

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Self-consistent dielectric functions of materials: Toward accurate computation of Casimir-van der Waals forces.材料的自洽介电函数:迈向卡西米尔-范德瓦尔斯力的精确计算
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