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通过扩散键合堆叠砷化镓中的差频混频产生16微米红外光。

16-microm infrared generation by difference-frequency mixing in diffusion-bonded-stacked GaAs.

作者信息

Zheng D, Gordon L A, Wu Y S, Feigelson R S, Fejer M M, Byer R L, Vodopyanov K L

机构信息

Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, California 94305, USA.

出版信息

Opt Lett. 1998 Jul 1;23(13):1010-2. doi: 10.1364/ol.23.001010.

DOI:10.1364/ol.23.001010
PMID:18087412
Abstract

Tunable 90-ps 15.6-17.6-microm coherent radiation was generated by means of difference-frequency mixing in diffusion-bonded-stacked GaAs. The sample consisted of 24 alternately rotated layers with a total length of 6 mm and with low optical loss to achieve third-order quasi-phase matching. The wavelength-tuning curve was close to the theoretical prediction, demonstrating that the bonding process maintained nonlinear optical phase matching over the entire interaction length. Maximum conversion efficiency of 0.7%, or 5% internal quantum efficiency, was measured at 16.6 microm, consistent with the theoretical predictions.

摘要

通过在扩散键合堆叠的砷化镓中进行差频混频,产生了可调谐的90皮秒、15.6 - 17.6微米的相干辐射。该样品由24个交替旋转的层组成,总长度为6毫米,且具有低光学损耗,以实现三阶准相位匹配。波长调谐曲线接近理论预测,表明键合过程在整个相互作用长度上保持了非线性光学相位匹配。在16.6微米处测得的最大转换效率为0.7%,或内部量子效率为5%,与理论预测一致。

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