Suppr超能文献

基于砷化镓衬底上的分裂环谐振器产生的二次谐波。

Second-harmonic generation from split-ring resonators on a GaAs substrate.

作者信息

Niesler F B P, Feth N, Linden S, Niegemann J, Gieseler J, Busch K, Wegener M

机构信息

Institut for Angewandte Physik, DFG-Center for Functional Nanostructures, Universität Karlsruhe, Karlsruhe, Germany.

出版信息

Opt Lett. 2009 Jul 1;34(13):1997-9. doi: 10.1364/ol.34.001997.

Abstract

We study second-harmonic generation from gold split-ring resonators on a crystalline GaAs substrate. By systematically varying the relative orientation of the split-ring resonators with respect to the incident linear polarization of light and the GaAs crystallographic axes, we unambiguously identify a nonlinear contribution that originates specifically from the interplay of the local fields of the split-ring resonators and the bulk GaAs second-order nonlinear-susceptibility tensor. The experimental results are in good agreement with theoretical modeling.

摘要

我们研究了晶体砷化镓(GaAs)衬底上金裂环谐振器的二次谐波产生。通过系统地改变裂环谐振器相对于入射光线性偏振以及GaAs晶轴的相对取向,我们明确地识别出一种非线性贡献,该贡献具体源于裂环谐振器的局部场与体GaAs二阶非线性极化率张量之间的相互作用。实验结果与理论模型吻合良好。

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