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160GHz 谐波锁模 AlGaInAs1.55μm 应变量子阱复合腔激光器。

160 GHz harmonic mode-locked AlGaInAs 1.55 μm strained quantum-well compound-cavity laser.

机构信息

School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK.

出版信息

Opt Lett. 2010 Dec 1;35(23):3991-3. doi: 10.1364/OL.35.003991.

DOI:10.1364/OL.35.003991
PMID:21124589
Abstract

We characterized the reflectivity and the modal discrimination of intracavity reflectors (ICRs) with different numbers of slots and presented harmonic mode-locking operation of a monolithic semiconductor laser comprising a compound cavity formed by a single deeply etched slot ICR fabricated from 1.55 μm AlGaInAs strained quantum well material. Gaussian pulses were generated at a 161.8 GHz repetition rate with a pulse duration of 1.67 ps and a time-bandwidth product of 0.81.

摘要

我们描述了具有不同槽数的内腔反射镜(ICR)的反射率和模式鉴别,并展示了由单个深蚀刻槽 ICR 构成的复合腔构成的单片半导体激光器的谐波锁模操作,该 ICR 由 1.55μm AlGaInAs 应变量子阱材料制成。在 161.8GHz 的重复率下产生了高斯脉冲,脉冲持续时间为 1.67ps,时间带宽积为 0.81。

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