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用光瞬态光栅光谱法测量 n 型掺杂 GaAs/AlGaAs 量子阱中的电子-空穴摩擦。

Measurement of electron-hole friction in an n-doped GaAs/AlGaAs quantum well using optical transient grating spectroscopy.

机构信息

Department of Physics, University of California, Berkeley, California 94720, USA.

出版信息

Phys Rev Lett. 2011 Jun 17;106(24):247401. doi: 10.1103/PhysRevLett.106.247401. Epub 2011 Jun 13.

Abstract

We use phase-resolved transient grating spectroscopy to measure the drift and diffusion of electron-hole density waves in a semiconductor quantum well. The unique aspects of this optical probe allow us to determine the frictional force between a two-dimensional Fermi liquid of electrons and a dilute gas of holes. Knowledge of electron-hole friction enables prediction of ambipolar dynamics in high-mobility electron systems.

摘要

我们使用相分辨瞬态光栅光谱法来测量半导体量子阱中电子空穴密度波的漂移和扩散。这种光学探针的独特之处在于,它可以确定二维电子费米液体与稀稀薄空穴气体之间的摩擦力。了解电子空穴摩擦有助于预测高迁移率电子系统中的双极性动力学。

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