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在氧化的 AlGaAs 波导中实现 1.55μm 处的大二次谐波产生。

Large second-harmonic generation at 1.55 μmin oxidized AlGaAs waveguides.

机构信息

Université Paris Diderot, Sorbonne Paris Cité, Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques, CNRS-UMR 7162, Case courrier 7021, 75205 Paris Cedex 13, France.

出版信息

Opt Lett. 2011 Aug 1;36(15):2955-7. doi: 10.1364/OL.36.002955.

DOI:10.1364/OL.36.002955
PMID:21808370
Abstract

We report on CW second-harmonic generation in selectively oxidized AlGaAs multilayer waveguides. Frequency doubling of a 1.55 μm pump is observed with 2.8% W(-1) conversion efficiency and a maximum second-harmonic power around 0.3 mW. This is the strongest second-harmonic generation ever reported in semiconductor waveguides and an encouraging result toward integrated spontaneous parametric downconversion in the telecom range.

摘要

我们报告了在选择性氧化的 AlGaAs 多层波导中的连续波二次谐波产生。观察到 1.55 μm 泵浦的倍频转换效率为 2.8%W(-1),最大二次谐波功率约为 0.3 mW。这是半导体波导中报道的最强的二次谐波产生,朝着电信波段集成自发参量下转换迈出了令人鼓舞的一步。

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