III-氮化物光栅生长在独立的 HfO2 光栅上。
III-Nitride grating grown on freestanding HfO2 gratings.
机构信息
Institute of Communication Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiang-Su 210003, People's Republic of China.
出版信息
Nanoscale Res Lett. 2011 Aug 18;6(1):497. doi: 10.1186/1556-276X-6-497.
We report here the epitaxial growth of III-nitride material on freestanding HfO2 gratings by molecular beam epitaxy. Freestanding HfO2 gratings are fabricated by combining film evaporation, electron beam lithography, and fast atom beam etching of an HfO2 film by a front-side silicon process. The 60-μm long HfO2 grating beam can sustain the stress change during the epitaxial growth of a III-nitride material. Grating structures locally change the growth condition and vary indium composition in the InGaN/GaN quantum wells and thus, the photoluminescence spectra of epitaxial III-nitride grating are tuned. Guided mode resonances are experimentally demonstrated in fabricated III-nitride gratings, opening the possibility to achieve the interaction between the excited light and the grating structure through guided mode resonance.PACS: 78.55.Cr; 81.65.Cf; 81.15.Hi.
我们在此报告通过分子束外延在独立的 HfO2 光栅上外延生长 III 族氮化物材料。独立的 HfO2 光栅是通过薄膜蒸发、电子束光刻和使用前侧硅工艺的快速原子束蚀刻在 HfO2 薄膜上制造的。60μm 长的 HfO2 光栅梁可以承受 III 族氮化物材料外延生长过程中的应力变化。光栅结构局部改变生长条件，并改变 InGaN/GaN 量子阱中的铟组成，从而调谐外延 III 族氮化物光栅的光致发光光谱。在制作的 III 族氮化物光栅中实验证明了导模共振，为通过导模共振实现激发光与光栅结构之间的相互作用开辟了可能性。
注
PACS 是物理化学中的一种分类系统，用于对文献进行分类和索引。每个 PACS 代码由 7 个字符组成，前两个字符表示类别，接下来的两个字符表示子类，最后三个字符表示特定的主题。在这个例子中，78.55.Cr 表示“半导体器件”，81.65.Cf 表示“半导体结构”，81.15.Hi 表示“半导体异质结构”。这些代码表示该文献主要涉及半导体器件和结构，特别是半导体异质结构。
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