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通过管接触控制半导体碳纳米管的电行为。

Controlling the electrical behavior of semiconducting carbon nanotubes via tube contact.

机构信息

Departamento de Física, ICEx, Universidade Federal de Minas Gerais-UFMG, C.P. 702, 30123-970 Belo Horizonte, Brazil.

出版信息

Small. 2012 Jan 23;8(2):220-4. doi: 10.1002/smll.201101285. Epub 2011 Nov 23.

DOI:10.1002/smll.201101285
PMID:22109840
Abstract

The electromechanical behavior of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) in contact with different materials is investigated by scanning probe microscopy. An anomalous diamond/semiconducting nanotube behavior is observed, which is consistent with ab initio calculations: the formation of a broken-gap heterojunction between semiconducting SWNTs and a hydrogenated diamond surface results in a metallic response for such SWNTs.

摘要

通过扫描探针显微镜研究了单壁碳纳米管(SWNTs)与不同材料接触时的机电行为。观察到异常的金刚石/半导体纳米管行为,与从头算计算一致:半导体 SWNTs 和氢化金刚石表面之间形成带隙中断的异质结,导致此类 SWNTs 呈现金属响应。

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