Suppr超能文献

窄带隙关联半导体 FeGa3 和 FeSb2 中自旋极化子带的热破坏。

Thermal destruction of spin-polaron bands in the narrow-gap correlated semiconductors FeGa3 and FeSb2.

机构信息

Russian Research Centre Kurchatov Institute, Kurchatov Square 1, Moscow 123182, Russia.

出版信息

J Phys Condens Matter. 2012 May 9;24(18):185601. doi: 10.1088/0953-8984/24/18/185601. Epub 2012 Apr 5.

Abstract

We report muon spin rotation spectra in the narrow-gap semiconductors FeGa(3) and FeSb(2) consistent with a narrow band of small spin polarons (SPs). The characteristic sizes obtained for these SPs are R(FeGa(3)) ≈ 0.3-0.6 nm and R(FeSb (2)) ≈ 0.3 nm, respectively. Such SP states are expected to originate from the exchange correlations between localized and itinerant electrons. Our data suggest that SP bands are formed at low temperature, but are destroyed by thermal fluctuations above 10 K in FeGa(3) and above 7 K in FeSb(2). Formation of such SP band states can explain many of the low-temperature properties of these materials.

摘要

我们报告了在窄带隙半导体 FeGa(3) 和 FeSb(2) 中的μ子自旋旋转谱,这些谱与窄带的小自旋极化子 (SP) 一致。对于这些 SP,我们得到的特征尺寸分别为 R(FeGa(3)) ≈ 0.3-0.6nm 和 R(FeSb (2)) ≈ 0.3nm。这种 SP 态预计是来源于局域和巡游电子之间的交换关联。我们的数据表明 SP 带在低温下形成,但在 FeGa(3)中高于 10K 和 FeSb(2)中高于 7K 的温度下,它们被热涨落破坏。这种 SP 带态的形成可以解释这些材料在低温下的许多性质。

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