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来自单一负层状结构的正负大古斯-汉欣横向位移。

Positively and negatively large Goos-Hänchen lateral displacements from a single negative layered structure.

作者信息

Talebzadeh Robabeh, Namdar Abdolrahman

机构信息

Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University, Tabriz, Iran.

出版信息

Appl Opt. 2012 Sep 20;51(27):6484-8. doi: 10.1364/AO.51.006484.

DOI:10.1364/AO.51.006484
PMID:23033017
Abstract

We study the electromagnetic beam reflection from layered structures that include the so-called ε-negative and the μ-negative materials, also called single negative materials. We predict that such structures can demonstrate a giant lateral Goos-Hänchen shift of the resonant excitation of surface waves at the interface between the conventional and single negative materials, as well as due to the excitation of leaky modes in the layered structures. Then we replace the conventional layer with a left-handed layer (a material with both ε<0 and μ<0). We show that the Goos-Hänchen shift can be positive and negative depending on the type of this layer (conventional or LH material), which can support TE or TM surface waves.

摘要

我们研究了来自包含所谓的ε负材料和μ负材料(也称为单负材料)的分层结构的电磁束反射。我们预测,此类结构在传统材料与单负材料之间的界面处,以及由于分层结构中泄漏模式的激发,能够展示出表面波共振激发的巨大横向古斯-汉欣位移。然后,我们用左手层(一种ε<0且μ<0的材料)取代传统层。我们表明,古斯-汉欣位移可能为正或负,这取决于该层(传统材料或左手材料)的类型,其能够支持TE或TM表面波。

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