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a-Ge(x)Se(100-x) 薄膜中光致暗化到光漂白的转换。

Crossover from photodarkening to photobleaching in a-Ge(x)Se(100-x) thin films.

机构信息

Indian Institute of Science Education & Research, Bhopal, India.

出版信息

Opt Lett. 2013 May 15;38(10):1682-4. doi: 10.1364/OL.38.001682.

DOI:10.1364/OL.38.001682
PMID:23938910
Abstract

In this Letter, we present the interesting results of photodarkening (PD), transition toward photostability, and a slow crossover from PD to photobleaching when composition of the chalcogenide glassy thin film changes from Ge-deficient to rich. A subsequent Raman analysis on these as-prepared and irradiated samples provide the direct evidence of photoinduced structural rearrangement, i.e., photocrystallization of Se and the removal of edge-sharing GeSe4 tetrahedra. Further, our experimental results clearly demonstrate that light-induced effects can be effectively controlled by choosing the right composition and provide valuable information on synthesizing photostable/sensitive glasses.

摘要

在这封信中,我们展示了有趣的光致暗化(PD)、向光稳定性转变以及当硫属玻璃薄膜的组成从缺锗变为富锗时,PD 缓慢转变为光漂白的结果。对这些未经辐照和辐照后的样品进行的后续拉曼分析提供了光致结构重排的直接证据,即 Se 的光致晶化和共享边缘的 GeSe4 四面体的去除。此外,我们的实验结果清楚地表明,可以通过选择合适的组成来有效控制光致效应,并为合成光稳定/敏化玻璃提供有价值的信息。

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