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通过苯基自由基吸附对单层石墨烯进行带隙调控:一项密度泛函理论研究。

Band-gap manipulations of monolayer graphene by phenyl radical adsorptions: a density functional theory study.

作者信息

Huang Lin, Sk Mahasin Alam, Chen Peng, Lim Kok Hwa

机构信息

School of Chemical and Biomedical Engineering, Nanyang Technological University, 62 Nanyang Drive, 639798 (Singapore).

出版信息

Chemphyschem. 2014 Aug 25;15(12):2610-7. doi: 10.1002/cphc.201402133. Epub 2014 Jun 12.

DOI:10.1002/cphc.201402133
PMID:24925258
Abstract

Phenyl radical (Ph˙) adsorption on monolayer graphene sheets is used to investigate the band-gap manipulation of graphene through density functional theory. Adsorption of a single Ph˙ on graphene breaks the aromatic π-bond and generates an unpaired electron, which is delocalized to the ortho or para position. Adsorption of a second radical at the ortho or para position saturates the radical by electron pairing and results in semiconducting graphene. Adsorption of a second radical at the ortho position (ortho-ortho pairing) is found to be more favorable than adsorption at the para position (ortho-para pairing), and the ortho-ortho pairing has stronger effects on band-gap opening compared with ortho-para pairing. Adsorption of even numbers of Ph˙ on graphene by ortho-ortho and ortho-para pairings, in general, increases the band gap. Our study shows promise of band-gap manipulation in monolayer graphene by Ph˙ adsorption, leading to potential wider applications of graphene.

摘要

通过密度泛函理论,利用苯基自由基(Ph˙)在单层石墨烯片上的吸附来研究石墨烯的带隙调控。单个Ph˙吸附在石墨烯上会破坏芳香π键并产生一个未成对电子,该电子会离域到邻位或对位。在邻位或对位吸附第二个自由基会通过电子配对使自由基饱和,从而产生半导体性的石墨烯。研究发现,在邻位吸附第二个自由基(邻位 - 邻位配对)比在对位吸附(邻位 - 对位配对)更有利,并且与邻位 - 对位配对相比,邻位 - 邻位配对对带隙打开的影响更强。一般来说,通过邻位 - 邻位和邻位 - 对位配对在石墨烯上吸附偶数个Ph˙会增加带隙。我们的研究表明,通过Ph˙吸附来调控单层石墨烯的带隙具有前景,这将使石墨烯有更广泛的潜在应用。

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