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硅兼容等离子体狭缝波导中的电控二次谐波产生:一种新的调制方案。

Electrically controlled second-harmonic generation in silicon-compatible plasmonic slot waveguides: a new modulation scheme.

作者信息

Zhang Jihua, Cassan Eric, Zhang Xinliang

出版信息

Opt Lett. 2014 Jul 1;39(13):4001-4. doi: 10.1364/OL.39.004001.

DOI:10.1364/OL.39.004001
PMID:24978792
Abstract

The possible realization of an active electro-optical control of the nonlinear second-harmonic generation (SHG) mechanism in a plasmonic slot waveguide is theoretically investigated. Both the conventional SHG and the electrically induced SHG are taken into account with a moderate pump power of 40 mW at the fundamental wavelength (1550 nm). The generated power of the second-harmonic frequency can be modulated by the applied voltage in a quadratic and almost linear form for centrosymmetric and noncentrosymmetric nonlinear polymers integrated in the slot, respectively. Converted power up to 140 μW within a short distance of only 16 μm is predicted for a voltage of 10 V. This mechanism may open a new route to realize high-speed advanced modulations or inversely to detect ultrafast electrical signals.

摘要

从理论上研究了在等离子体狭缝波导中对非线性二次谐波产生(SHG)机制进行有源电光控制的可能性。考虑了传统的SHG和电诱导的SHG,在基波波长(1550 nm)处泵浦功率为40 mW时的情况。对于集成在狭缝中的中心对称和非中心对称非线性聚合物,二次谐波频率的产生功率分别可以通过施加的电压以二次方和几乎线性的形式进行调制。对于10 V的电压,预计在仅16μm的短距离内转换功率可达140μW。这种机制可能为实现高速先进调制或反过来检测超快电信号开辟一条新途径。

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