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[V@Ge8As4]3- 和 [Nb@Ge8As6]3-:贫电子过渡金属原子的封装

[V@Ge8As4]3- and [Nb@Ge8As6]3-: encapsulation of electron-poor transition metal atoms.

作者信息

Mitzinger Stefan, Broeckaert Lies, Massa Werner, Weigend Florian, Dehnen Stefanie

机构信息

Philipps-Universität Marburg, Fachbereich Chemie and Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften (WZMW), Hans-Meerwein-Straße 4, 35043 Marburg, Germany.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2015 Mar 4;51(18):3866-9. doi: 10.1039/c4cc10086g.

DOI:10.1039/c4cc10086g
PMID:25656997
Abstract

K([2.2.2]crypt) salts of V@Ge8As4 and Nb@Ge8As6 were obtained by extraction of quaternary phases with en/[2.2.2]crypt. The V-Ge-As anion is the first Zintl anion incorporating a (formal) V(5+) cation, thus the smallest cation ever embedded within a main group (semi-)metal cage. It represents the second example of a novel 12-vertex cluster architecture. The bonding situation was elucidated by quantum chemistry, also allowing for a precise assignment of Ge vs. As atoms, being indistinguishable by X-ray diffraction.

摘要

通过用乙二胺/[2.2.2]穴醚萃取四元相,得到了V@Ge8As4和Nb@Ge8As6的K([2.2.2]穴醚)盐。V-Ge-As阴离子是第一个包含(形式上的)V(5+)阳离子的津特耳阴离子,因此是嵌入主族(半)金属笼中的最小阳离子。它代表了新型12顶点簇结构的第二个例子。通过量子化学阐明了键合情况,这也使得能够精确区分Ge和As原子,而这在X射线衍射中是无法区分的。

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