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通过点间隧穿效应研究双In(x)Ga(1-x)N/GaN量子点纳米结构中的光学双稳性。

Investigation of optical bistability in a double In(x)Ga(1-x)N/GaN quantum-dot nanostructure via inter-dot tunneling effect.

作者信息

Soltani A, Nasehi R, Asadpour S H, Mahmoudi M, Soleimani H Rahimpour

出版信息

Appl Opt. 2015 Apr 1;54(10):2606-14. doi: 10.1364/AO.54.002606.

DOI:10.1364/AO.54.002606
PMID:25967165
Abstract

In this paper, our aim is to control optical bistability (OB) and optical multistability (OM) in a five-level system designed in a double quantum dot (QD) nanostructure. In a realistic example, this atomic system is created in two semiconductor QDs (In(x)Ga(1-x)N/GaN), owning transfer of carriers via tunneling effect. OB behavior is controlled not only by the inter-dot tunneling effect but also by variation of probe detuning and intensity of the control field. It is demonstrated that voltage-controlled detuning can significantly affect the behavior of OB and OM; therefore, the OM converts to OB by probe detuning and intensity of the control field.

摘要

在本文中,我们的目标是在由双量子点(QD)纳米结构设计的五能级系统中控制光学双稳性(OB)和光学多稳性(OM)。在一个实际例子中,这个原子系统是在两个半导体量子点(In(x)Ga(1 - x)N/GaN)中创建的,通过隧穿效应实现载流子转移。OB行为不仅受点间隧穿效应控制,还受探测失谐和控制场强度变化的影响。结果表明,电压控制的失谐会显著影响OB和OM的行为;因此,通过探测失谐和控制场强度,OM会转变为OB。

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