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量子点接触中电子 g 因子的增强机制。

Enhancement Mechanism of the Electron g Factor in Quantum Point Contacts.

机构信息

School of Physics, The University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia and Institute of Theoretical Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland.

School of Physics, The University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia.

出版信息

Phys Rev Lett. 2016 Mar 25;116(12):126801. doi: 10.1103/PhysRevLett.116.126801. Epub 2016 Mar 21.

DOI:10.1103/PhysRevLett.116.126801
PMID:27058089
Abstract

The electron g factor measured in a quantum point contact by source-drain bias spectroscopy is significantly larger than its value in a two-dimensional electron gas. This enhancement, established experimentally in numerous studies, is an outstanding puzzle. In the present work we explain the mechanism of this enhancement in a theory accounting for the electron-electron interactions. We show that the effect relies crucially on the nonequilibrium nature of the spectroscopy at finite bias.

摘要

通过源漏偏压光谱法测量的量子点接触中的电子 g 因子明显大于其在二维电子气中的值。这种增强在众多实验中得到了证实,是一个突出的难题。在目前的工作中,我们在考虑电子-电子相互作用的理论中解释了这种增强的机制。我们表明,该效应依赖于有限偏压下光谱法的非平衡性质。

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Phys Rev Lett. 2016 Mar 25;116(12):126801. doi: 10.1103/PhysRevLett.116.126801. Epub 2016 Mar 21.
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引用本文的文献

1
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