Suppr超能文献

半导体 SnIP 中的无机双螺旋

Inorganic Double Helices in Semiconducting SnIP.

机构信息

Department of Chemistry, Technical University of Munich, Lichtenbergstr. 4, 85748, Garching b. München, Germany.

Institut für Anorganische und Analytische Chemie, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Corrensstr. 30, 48149, Münster, Germany.

出版信息

Adv Mater. 2016 Nov;28(44):9783-9791. doi: 10.1002/adma.201603135. Epub 2016 Sep 14.

Abstract

SnIP is the first atomic-scale double helical semiconductor featuring a 1.86 eV bandgap, high structural and mechanical flexibility, and reasonable thermal stability up to 600 K. It is accessible on a gram scale and consists of a racemic mixture of right- and left-handed double helices composed by [SnI] and [P] helices. SnIP nanorods <20 nm in diameter can be accessed mechanically and chemically within minutes.

摘要

SnIP 是首个具有 1.86eV 带隙的原子级双螺旋半导体,具有高结构和机械灵活性,以及高达 600K 的合理热稳定性。它可在克级规模上获得,由[SnI]和[P]螺旋组成的右旋和左旋双螺旋的外消旋混合物组成。SnIP 纳米棒的直径可以在几分钟内通过机械和化学方法达到<20nm。

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