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在纳米尺度上定制氧化物界面的掺杂机制。

Tailoring the Doping Mechanisms at Oxide Interfaces in Nanoscale.

机构信息

Department of Physics and Astronomy, West Virginia University , Morgantown, West Virginia 26506, United States.

Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison , Madison, Wisconsin 53706, United States.

出版信息

Nano Lett. 2017 Sep 13;17(9):5620-5625. doi: 10.1021/acs.nanolett.7b02508. Epub 2017 Aug 16.

DOI:10.1021/acs.nanolett.7b02508
PMID:28806520
Abstract

Here, we demonstrate the nanoscale manipulations of two types of charge transfer to the LaAlO/SrTiO interfaces: one from surface adsorbates and another from oxygen vacancies inside LaAlO films. This method can be used to produce multiple insulating and metallic interface states with distinct carrier properties that are highly stable in air. By reconfiguring the patterning and comparing interface structures formed from different doping sources, effects of extrinsic and intrinsic material characters on the transport properties can be distinguished. In particular, a multisubband to single-subband transition controlled by the structural phases in SrTiO was revealed. In addition, the transient behaviors of nanostructures also provided a unique opportunity to study the nanoscale diffusions of adsorbates and oxygen vacancies in oxide heterostructures. Knowledge of such dynamic processes is important for nanodevice implementations.

摘要

在这里,我们演示了两种类型的电荷向 LaAlO/SrTiO 界面转移的纳米级操控:一种来自表面吸附物,另一种来自 LaAlO 薄膜内部的氧空位。这种方法可以用来产生具有不同载流子特性的多种绝缘和金属界面态,并且在空气中非常稳定。通过重新配置图案并比较来自不同掺杂源形成的界面结构,可以区分外赋和内在材料特性对输运性质的影响。特别是,揭示了由 SrTiO 中的结构相控制的多子带到单子带的转变。此外,纳米结构的瞬态行为也为研究氧化物异质结构中吸附物和氧空位的纳米级扩散提供了独特的机会。了解这种动态过程对于纳米器件的实现非常重要。

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Tailoring the Doping Mechanisms at Oxide Interfaces in Nanoscale.在纳米尺度上定制氧化物界面的掺杂机制。
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引用本文的文献

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