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表示无镉AlGaAs缓冲层间接带隙区域对Cu(In,Ga)Se光伏电池影响的数据集。

Dataset representing the effect of indirect band gap region of Cd-free AlGaAs buffer layer in Cu(In,Ga)Se photovoltaic cell.

作者信息

Shachi Sadia Islam, Bahar Ali Newaz

机构信息

Department of Information and Communication Technology (ICT), Mawlana Bhashani Science and Technology University (MBSTU), Tangail-1902, Bangladesh.

出版信息

Data Brief. 2017 Aug 31;14:618-622. doi: 10.1016/j.dib.2017.08.017. eCollection 2017 Oct.

DOI:10.1016/j.dib.2017.08.017
PMID:28913388
原文链接:https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC5582381/
Abstract

The dataset of physical properties for the proposed CIGS solar cell with Cd-free AlGaAs buffer layer has been depicted in this data article. The cell performance outcome due to different AlGaAs buffer layer band gap is reported along with optimum solar cell performance parameters for instance, open circuit voltage [Formula: see text], short circuit current density ([Formula: see text], fill factor [Formula: see text], efficiency [Formula: see text], as well as collection efficiency [Formula: see text].

摘要

本数据文章描述了具有无镉AlGaAs缓冲层的拟议CIGS太阳能电池的物理性质数据集。报告了由于不同AlGaAs缓冲层带隙导致的电池性能结果，以及最佳太阳能电池性能参数，例如开路电压[公式：见正文]、短路电流密度（[公式：见正文]）、填充因子[公式：见正文]、效率[公式：见正文]以及收集效率[公式：见正文]。

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