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引用本文的文献

1
First-Principle Calculation of High Absorption-TlGaTe for Photovoltaic Application.用于光伏应用的高吸收系数TlGaTe的第一性原理计算
Materials (Basel). 2019 Aug 22;12(17):2667. doi: 10.3390/ma12172667.

作者更正：铬超掺杂对CHNHPbI钙钛矿电子结构的影响：第一性原理洞察。

Author Correction: Influence of chromium hyperdoping on the electronic structure of CHNHPbI perovskite: a first-principles insight.

作者信息

García Gregorio, Palacios Pablo, Menéndez-Proupin Eduardo, Montero-Alejo Ana L, Conesa José C, Wahnón Perla

机构信息

Instituto de Energía Solar, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040, Madrid, Spain.

Departamento de Tecnología Fotónica y Bioingeniería, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria, s/n, 28040, Madrid, Spain.

出版信息

Sci Rep. 2018 May 3;8(1):7212. doi: 10.1038/s41598-018-25173-6.

DOI:10.1038/s41598-018-25173-6
PMID:29725039
原文链接:https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC5934502/
Abstract

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摘要

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