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作者更正：用于垂直隧穿单电子晶体管的平面和范德华异质结构

Author Correction: Planar and van der Waals heterostructures for vertical tunnelling single electron transistors.

作者信息

Kim Gwangwoo, Kim Sung-Soo, Jeon Jonghyuk, Yoon Seong In, Hong Seokmo, Cho Young Jin, Misra Abhishek, Ozdemir Servet, Yin Jun, Ghazaryan Davit, Holwill Matthew, Mishchenko Artem, Andreeva Daria V, Kim Yong-Jin, Jeong Hu Young, Jang A-Rang, Chung Hyun-Jong, Geim Andre K, Novoselov Kostya S, Sohn Byeong-Hyeok, Shin Hyeon Suk

机构信息

Department of Energy Engineering, Ulsan National Institute of Science & Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea.

Department of Chemistry, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea.

出版信息

Nat Commun. 2019 Feb 25;10(1):987. doi: 10.1038/s41467-019-08910-x.

DOI:10.1038/s41467-019-08910-x
PMID:30804336
原文链接:https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC6389964/
Abstract

The original version of this Article contained an error in the spelling of the author Matthew Holwill, which was incorrectly given as Mathew Holwill. This has now been corrected in both the PDF and HTML versions of the Article.

摘要

本文的原始版本中，作者马修·霍尔威尔（Matthew Holwill）的拼写有误，被错误地写成了马修·霍尔威尔（Mathew Holwill）。现在，本文的PDF版和HTML版中均已更正。

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