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采用0.35微米高压互补金属氧化物半导体技术且具有大探测面积的光学无线雪崩光电二极管接收器。

Optical wireless APD receivers in 0.35 µm HV CMOS technology with large detection area.

作者信息

Milovančev Dinka, Brandl Paul, Jukić Tomislav, Steindl Bernhard, Vokić Nemanja, Zimmermann Horst

出版信息

Opt Express. 2019 Apr 29;27(9):11930-11945. doi: 10.1364/OE.27.011930.

DOI:10.1364/OE.27.011930
PMID:31052741
Abstract

The development of two high-speed monolithically integrated optical receivers for wireless optical communication is presented from the design phase to the measurement. The first high-speed receiver is the modified previous design with an integrated 200-µm diameter avalanche photodiode. The redesign improved the optical sensitivity by 3.7 dB resulting in the sensitivity of -35.5 dBm at 1 Gbit/s. The second receiver is an avalanche photodiode receiver with increased photodiode diameter of 400 µm with a sensitivity of -34.7 dBm at 1 Gbit/s. The receivers were employed in wireless optical communication experiments under various ambient light conditions. The maximum error free transmission distance is 22 m at 1 Gbit/s OWC link. The limits of the used standard 0.35 µm HV CMOS technology are estimated in terms of maximum possible detection area of avalanche photodiode receiver still capable for Gbit data rates.

摘要

本文介绍了两款用于无线光通信的高速单片集成光接收机从设计阶段到测量阶段的进展情况。第一款高速接收机是对先前设计的改进,集成了直径为200μm的雪崩光电二极管。重新设计使光灵敏度提高了3.7dB,在1Gbit/s时灵敏度达到-35.5dBm。第二款接收机是雪崩光电二极管接收机,其光电二极管直径增加到400μm,在1Gbit/s时灵敏度为-34.7dBm。这些接收机被用于各种环境光条件下的无线光通信实验。在1Gbit/s的光无线通信链路中,最大无差错传输距离为22m。根据仍能实现Gbit数据速率的雪崩光电二极管接收机的最大可能探测面积,估计了所使用的标准0.35μm高压互补金属氧化物半导体(HV CMOS)技术的局限性。

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