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在689纳米处具有亚千赫兹线宽的氮化铟镓二极管泵浦的铝镓铟磷垂直外腔面发射激光器。

InGaN-diode-pumped AlGaInP VECSEL with sub-kHz linewidth at 689 nm.

作者信息

Moriya Paulo H, Casula Riccardo, Chappell George A, Parrotta Daniele C, Ranta Sanna, Kahle Hermann, Guina Mircea, Hastie Jennifer E

出版信息

Opt Express. 2021 Feb 1;29(3):3258-3268. doi: 10.1364/OE.416210.

DOI:10.1364/OE.416210
PMID:33770928
Abstract

We report the design, growth, and characterization of an AlGaInP-based VECSEL, designed to be optically-pumped with an inexpensive high power blue InGaN diode laser, for emission around 689 nm. Up to 140 mW output power is achieved in a circularly-symmetric single transverse (TEM) and single longitudinal mode, tunable from 683 to 693 nm. With intensity stabilization of the pump diode and frequency-stabilization of the VECSEL resonator to a reference cavity via the Pound-Drever-Hall technique, we measure the power spectral density of the VECSEL frequency noise, reporting sub-kHz linewidth at 689 nm. The VECSEL relative intensity noise (RIN) is <-130 dBc/Hz for all frequencies above 100 kHz. This compact laser system is suitable for use in quantum technologies, particularly those based on laser-cooled and trapped strontium atoms.

摘要

我们报告了一种基于AlGaInP的垂直外部腔面发射激光器(VECSEL)的设计、生长和特性,该激光器旨在由廉价的高功率蓝色InGaN二极管激光器进行光泵浦,用于689nm左右的发射。在圆对称单横向(TEM)和单纵向模式下实现了高达140mW的输出功率,波长可在683至693nm之间调谐。通过泵浦二极管的强度稳定以及通过庞德-德雷弗-霍尔技术将VECSEL谐振器的频率稳定到参考腔,我们测量了VECSEL频率噪声的功率谱密度,报告了在689nm处的亚千赫兹线宽。对于高于100kHz的所有频率,VECSEL的相对强度噪声(RIN)小于-130dBc/Hz。这种紧凑型激光系统适用于量子技术,特别是基于激光冷却和捕获锶原子的量子技术。

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