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氮化硅微谐振器中模式交叉和完美孤子晶体的热调谐

Thermal tuning of mode crossing and the perfect soliton crystal in a SiN microresonator.

作者信息

Li Jin, Wan Shuai, Peng Jin-Lan, Wang Zheng-Yu, Niu Rui, Zou Chang-Ling, Guo Guang-Can, Dong Chun-Hua

出版信息

Opt Express. 2022 Apr 11;30(8):13690-13698. doi: 10.1364/OE.450100.

DOI:10.1364/OE.450100
PMID:35472976
Abstract

Dissipative Kerr solitons in high quality microresonators have attracted much attention in the past few years. They provide ideal platforms for a number of applications. Here, we fabricate the SiN microring resonator with anomalous dispersion for the generation of single soliton and soliton crystal. Based on the strong thermal effect in the high-Q microresonator, the location and strength of the avoided mode crossing in the device can be changed by the intracavity power. Because the existence of the avoided mode crossing can induce the perfect soliton crystal with specific soliton number, we could choose the appropriate pumped resonance mode and appropriate pump power to obtain the perfect soliton crystals on demand.

摘要

在过去几年中,高品质微谐振器中的耗散克尔孤子引起了广泛关注。它们为许多应用提供了理想平台。在此,我们制备了具有反常色散的氮化硅微环谐振器,用于产生单孤子和孤子晶体。基于高Q值微谐振器中的强热效应,腔内功率可改变器件中避免模式交叉的位置和强度。由于避免模式交叉的存在可诱导出具有特定孤子数的完美孤子晶体,我们可以选择合适的泵浦谐振模式和合适的泵浦功率,按需获得完美的孤子晶体。

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引用本文的文献

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