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Correction: Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping.

作者信息

Arroyo-Gascón Olga, Baba Yuriko, Cerdá Jorge I, de Abril Oscar, Martínez-Casado Ruth, Domínguez-Adame Francisco, Chico Leonor

机构信息

Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Consejo Superior de Investigaciones Científicas, C/Sor Juana Inés de la Cruz 3, E-28049 Madrid, Spain.

GISC, Departamento de Física de Materiales, Universidad Complutense, E-28040 Madrid, Spain.

出版信息

Nanoscale. 2023 Feb 16;15(7):3566. doi: 10.1039/d3nr90008h.

DOI:10.1039/d3nr90008h
PMID:36722788
Abstract

Correction for 'Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping' by Olga Arroyo-Gascón , , 2022, , 7151-7162, https://doi.org/10.1039/D1NR07120C.

摘要

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Correction: Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping.
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