• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Raman scattering by intervalley carrier-density fluctuations in n-type Si: Intervalley and intravalley mechanisms.

作者信息

Contreras G, Sood AK, Cardona M

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1985 Jul 15;32(2):924-929. doi: 10.1103/physrevb.32.924.

DOI:10.1103/physrevb.32.924
PMID:9937101
Abstract
摘要

相似文献

1
Raman scattering by intervalley carrier-density fluctuations in n-type Si: Intervalley and intravalley mechanisms.n型硅中间谷载流子密度涨落引起的拉曼散射：谷间和谷内机制
Phys Rev B Condens Matter. 1985 Jul 15;32(2):924-929. doi: 10.1103/physrevb.32.924.
2
First-principles calculation of alloy scattering in Ge(x)Si(1-x).Ge(x)Si(1 - x)中合金散射的第一性原理计算
Phys Rev Lett. 2006 Sep 1;97(9):096606. doi: 10.1103/PhysRevLett.97.096606.
3
Infrared absorption of n-type tensile-strained Ge-on-Si.n 型张应变量硅锗的红外吸收。
Opt Lett. 2013 Mar 1;38(5):652-4. doi: 10.1364/OL.38.000652.
4
Raman scattering by intervalley carrier-density fluctuations in n-type Ge: Uniaxial stress and resonance effects.n型锗中间谷载流子密度涨落引起的拉曼散射：单轴应力和共振效应。
Phys Rev B Condens Matter. 1985 Jul 15;32(2):930-933. doi: 10.1103/physrevb.32.930.
5
Effects of intervalley scattering on the transport properties in one-dimensional valleytronic devices.能谷间散射对一维能谷电子器件输运性质的影响。
Sci Rep. 2016 Mar 16;6:23211. doi: 10.1038/srep23211.
6
Intervalley scattering and localization behaviors of spin-valley coupled Dirac fermions.自旋-谷耦合狄拉克费米子的能谷散射和局域化行为。
Phys Rev Lett. 2013 Jan 4;110(1):016806. doi: 10.1103/PhysRevLett.110.016806.
7
Carrier density dependence of the nonlinear absorption of intense THz radiation in GaAs.砷化镓中强太赫兹辐射非线性吸收的载流子密度依赖性
Opt Express. 2012 Jul 30;20(16):18016-24. doi: 10.1364/OE.20.018016.
8
Fingerprints of Multiple Electron Scatterings in Single-Layer Graphene.单层石墨烯中多次电子散射的指纹图谱
Sci Rep. 2016 Mar 3;6:22570. doi: 10.1038/srep22570.
9
Long-Lived Valley Polarization of Intravalley Trions in Monolayer WSe_{2}.单层WSe₂中谷内三重态的长寿命谷极化
Phys Rev Lett. 2016 Dec 16;117(25):257402. doi: 10.1103/PhysRevLett.117.257402.
10
Electron-Hole Symmetry Breaking in Charge Transport in Nitrogen-Doped Graphene.氮掺杂石墨烯中电荷输运的电子空穴对称破缺。
ACS Nano. 2017 May 23;11(5):4641-4650. doi: 10.1021/acsnano.7b00313. Epub 2017 May 4.