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Surface electronic structure of Si(111)7 x 7-Ge and Si(111)5 x 5-Ge studied with photoemission and inverse photoemission.

作者信息

Martensson P, Ni WX, Hansson GV, Nicholls JM, Reihl B

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1987 Oct 15;36(11):5974-5981. doi: 10.1103/physrevb.36.5974.

DOI:10.1103/physrevb.36.5974
PMID:9942278
Abstract
摘要

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1
Surface electronic structure of Si(111)7 x 7-Ge and Si(111)5 x 5-Ge studied with photoemission and inverse photoemission.用光电子发射和逆光电子发射研究Si(111)7×7-Ge和Si(111)5×5-Ge的表面电子结构。
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