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Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin flip in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.

作者信息

Sapega VF, Ruf T, Cardona M, Ploog K, Ivchenko EL, Mirlin DN

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1994 Jul 15;50(4):2510-2519. doi: 10.1103/physrevb.50.2510.

DOI:10.1103/physrevb.50.2510
PMID:9976472
Abstract
摘要

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1
Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin flip in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中束缚载流子自旋翻转引起的共振拉曼散射。
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引用本文的文献

1
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