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Stretched-exponential law for carrier capture kinetics of a trapping center in compensated amorphous silicon.

作者信息

Chen YF

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1989 Aug 15;40(5):3437-3438. doi: 10.1103/physrevb.40.3437.

DOI:10.1103/physrevb.40.3437
PMID:9992302
Abstract
摘要

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Stretched-exponential law for carrier capture kinetics of a trapping center in compensated amorphous silicon.补偿非晶硅中俘获中心载流子俘获动力学的拉伸指数定律
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Aug 15;40(5):3437-3438. doi: 10.1103/physrevb.40.3437.
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