• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Infrared absorption of deep defects in molecular-beam-epitaxial GaAs layers grown at 200 degreesC: Observation of an EL2-like defect.

作者信息

Manasreh MO, Look DC, Evans KR, Stutz CE

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 May 15;41(14):10272-10275. doi: 10.1103/physrevb.41.10272.

DOI:10.1103/physrevb.41.10272
PMID:9993433
Abstract
摘要

相似文献

1
Infrared absorption of deep defects in molecular-beam-epitaxial GaAs layers grown at 200 degreesC: Observation of an EL2-like defect.200摄氏度下分子束外延生长的砷化镓层中深缺陷的红外吸收：类EL2缺陷的观测
Phys Rev B Condens Matter. 1990 May 15;41(14):10272-10275. doi: 10.1103/physrevb.41.10272.
2
Infrared absorption properties of the EL2 and the isolated AsGa defects in neutron-transmutation-doped GaAs: Generation of an EL2-like defect.中子嬗变掺杂砷化镓中 EL2 及孤立的砷镓缺陷的红外吸收特性：类 EL2 缺陷的产生
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Feb 15;39(5):3239-3249. doi: 10.1103/physrevb.39.3239.
3
Anomalous Hall-effect results in low-temperature molecular-beam-epitaxial GaAs: Hopping in a dense EL2-like band.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Aug 15;42(6):3578-3581. doi: 10.1103/physrevb.42.3578.
4
First principles study of the ternary complex model of EL2 defect in GaAs saturable absorber.砷化镓可饱和吸收体中EL2缺陷三元复合模型的第一性原理研究
Opt Express. 2012 Mar 12;20(6):6258-66. doi: 10.1364/OE.20.006258.
5
Recovery of quenched hopping conduction in GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy at 200 degreesC.
Phys Rev B Condens Matter. 1993 Jan 15;47(3):1441-1443. doi: 10.1103/physrevb.47.1441.
6
Photothermal deflection studies of GaAs epitaxial layers.砷化镓外延层的光热偏转研究。
Appl Opt. 2002 Aug 20;41(24):5179-84. doi: 10.1364/ao.41.005179.
7
Picosecond photorefractive beam coupling in GaAs.砷化镓中的皮秒光折变光束耦合
Opt Lett. 1986 Oct 1;11(10):647-9. doi: 10.1364/ol.11.000647.
8
Surface-acoustic-wave study of defects in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at 220 degreesC.
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Feb 15;45(8):4258-4265. doi: 10.1103/physrevb.45.4258.
9
Multilayer-Grown Ultrathin Nanostructured GaAs Solar Cells as a Cost-Competitive Materials Platform for III-V Photovoltaics.多层生长的超薄纳米结构 GaAs 太阳能电池作为具有成本竞争力的 III-V 光伏材料平台。
ACS Nano. 2017 Jan 24;11(1):992-999. doi: 10.1021/acsnano.6b07605. Epub 2017 Jan 11.
10
Influence of substrate orientation on the structural quality of GaAs nanowires in molecular beam epitaxy.衬底取向对分子束外延中砷化镓纳米线结构质量的影响。
Nanotechnology. 2015 Jan 26;26(25):255601. doi: 10.1088/0957-4484/26/25/255601. Epub 2015 May 29.