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Defect annealing in electron-irradiated boron-doped silicon.

作者信息

Awadelkarim OO, Chen WM, Weman H, Monemar B

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Jan 15;41(2):1019-1027. doi: 10.1103/physrevb.41.1019.

DOI:10.1103/physrevb.41.1019
PMID:9993798
Abstract
摘要

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1
Defect annealing in electron-irradiated boron-doped silicon.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Jan 15;41(2):1019-1027. doi: 10.1103/physrevb.41.1019.
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