• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

First-principles study of sulfur passivation of GaAs(001) surfaces.

作者信息

Ohno T, Shiraishi K

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Dec 15;42(17):11194-11197. doi: 10.1103/physrevb.42.11194.

DOI:10.1103/physrevb.42.11194
PMID:9995402
Abstract
摘要

相似文献

1
First-principles study of sulfur passivation of GaAs(001) surfaces.砷化镓(001)表面硫钝化的第一性原理研究。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Dec 15;42(17):11194-11197. doi: 10.1103/physrevb.42.11194.
2
The effect of (NH4)2Sx passivation on the (311)A GaAs surface and its use in AlGaAs/GaAs heterostructure devices.(NH4)2Sx 钝化对 (311)A GaAs 表面的影响及其在 AlGaAs/GaAs 异质结构器件中的应用。
J Phys Condens Matter. 2013 Aug 14;25(32):325304. doi: 10.1088/0953-8984/25/32/325304. Epub 2013 Jul 17.
3
Sulfur passivation and contact methods for GaAs nanowire solar cells.砷化镓纳米线太阳能电池的硫钝化和接触方法。
Nanotechnology. 2011 Jun 3;22(22):225402. doi: 10.1088/0957-4484/22/22/225402. Epub 2011 Apr 1.
4
Dual passivation of GaAs (110) surfaces using O2/H2O and trimethylaluminum.使用 O2/H2O 和三甲基铝对 GaAs (110) 表面进行双重钝化。
J Chem Phys. 2013 Dec 28;139(24):244706. doi: 10.1063/1.4852155.
5
Sulfur passivation of GaAs surfaces.
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Sep 15;44(12):6306-6311. doi: 10.1103/physrevb.44.6306.
6
Analysis of the influence and mechanism of sulfur passivation on the dark current of a single GaAs nanowire photodetector.硫钝化对单根砷化镓纳米线光电探测器暗电流的影响及机理分析
Nanotechnology. 2018 Mar 2;29(9):095201. doi: 10.1088/1361-6528/aaa4d6.
7
Effects of surface passivation on twin-free GaAs nanosheets.表面钝化对孪-free GaAs 纳米片的影响。
ACS Nano. 2015 Feb 24;9(2):1336-40. doi: 10.1021/nn505227q. Epub 2015 Jan 21.
8
Wet-chemical passivation of InAs: toward surfaces with high stability and low toxicity.砷化铟的湿法化学钝化:实现高稳定性和低毒性表面。
Acc Chem Res. 2012 Sep 18;45(9):1451-9. doi: 10.1021/ar200282f. Epub 2012 Jun 20.
9
Wet chemical functionalization of III-V semiconductor surfaces: alkylation of gallium arsenide and gallium nitride by a Grignard reaction sequence.III-V 族半导体表面的湿化学功能化:通过格氏反应序列对砷化镓和氮化镓进行烷基化。
Langmuir. 2012 Mar 13;28(10):4672-82. doi: 10.1021/la204698a. Epub 2012 Feb 28.
10
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs.
Phys Rev Lett. 2006 Jan 27;96(3):035505. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.035505. Epub 2006 Jan 25.