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Epitaxial growth of Sn on Si(111): A direct atomic-structure determination of the (2 sqrt 3 x 2 sqrt 3 )R30 degrees reconstructed surface.

作者信息

Törnevik C, Hammar M, Nilsson NG, Flodström SA

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1991 Dec 15;44(23):13144-13147. doi: 10.1103/physrevb.44.13144.

DOI:10.1103/physrevb.44.13144
PMID:9999511
Abstract
摘要

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1
Epitaxial growth of Sn on Si(111): A direct atomic-structure determination of the (2 sqrt 3 x 2 sqrt 3 )R30 degrees reconstructed surface.锡在硅（111）上的外延生长：对（2√3×2√3）R30°重构表面的直接原子结构测定。
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引用本文的文献

1
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Nat Commun. 2017 Mar 7;8:14721. doi: 10.1038/ncomms14721.