• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Surface-stress-induced order in SiGe alloy films.

作者信息

LeGoues FK, Kesan VP, Iyer SS, Tersoff J, Tromp R

出版信息

Phys Rev Lett. 1990 Apr 23;64(17):2038-2041. doi: 10.1103/PhysRevLett.64.2038.

DOI:10.1103/PhysRevLett.64.2038
PMID:10041561
Abstract
摘要

相似文献

1
Surface-stress-induced order in SiGe alloy films.硅锗合金薄膜中表面应力诱导的有序化。
Phys Rev Lett. 1990 Apr 23;64(17):2038-2041. doi: 10.1103/PhysRevLett.64.2038.
2
Characterization of SiGe films for use as a National Institute of Standards and Technology Microanalysis Reference Material (RM 8905).用于美国国家标准与技术研究院微分析标准物质（RM 8905）的 SiGe 薄膜的特性描述。
Microsc Microanal. 2010 Feb;16(1):1-12. doi: 10.1017/S1431927609991231. Epub 2009 Dec 24.
3
Surface mobility difference between Si and Ge and its effect on growth of SiGe alloy films and islands.硅和锗之间的表面迁移率差异及其对硅锗合金薄膜和岛状结构生长的影响。
Phys Rev Lett. 2006 Jan 13;96(1):016103. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.016103. Epub 2006 Jan 3.
4
High performance mechanisms of near-infrared photodetectors with microcrystalline SiGe films deposited using laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system.
Opt Express. 2013 Mar 11;21(5):6295-303. doi: 10.1364/OE.21.006295.
5
Defect-free single-crystal SiGe: a new material from nanomembrane strain engineering.无缺陷单晶 SiGe：一种源自纳米薄膜应变工程的新材料。
ACS Nano. 2011 Jul 26;5(7):5814-22. doi: 10.1021/nn201547k. Epub 2011 Jun 16.
6
[Raman analysis of SiGe films grown by UHV/CVD].[超高真空化学气相沉积生长的SiGe薄膜的拉曼分析]
Guang Pu Xue Yu Guang Pu Fen Xi. 2001 Aug;21(4):464-7.
7
Enhanced in-plane thermoelectric figure of merit in p-type SiGe thin films by nanograin boundaries.通过纳米晶粒边界提高p型硅锗薄膜的面内热电品质因数。
Nanoscale. 2015 Apr 28;7(16):7331-9. doi: 10.1039/c5nr00181a.
8
Minute SiGe quantum dots on Si(001) by a kinetic 3D island mode.通过动力学三维岛模式在Si(001)上制备的微小硅锗量子点。
Phys Rev Lett. 2001 Sep 24;87(13):136104. doi: 10.1103/PhysRevLett.87.136104. Epub 2001 Sep 11.
9
Fabrication and characterization of SiGe coaxial quantum wells on ordered Si nanopillars.有序硅纳米柱上硅锗同轴量子阱的制备与表征
Nanotechnology. 2014 Feb 7;25(5):055204. doi: 10.1088/0957-4484/25/5/055204. Epub 2014 Jan 9.
10
A Density Functional Theory Study on the Effect of Ge Alloying on Hydrogen Desorption from SiGe Alloy Surfaces.关于锗合金化对硅锗合金表面氢脱附影响的密度泛函理论研究
J Phys Chem B. 2004 May 20;108(20):6336-50. doi: 10.1021/jp037948a.

引用本文的文献

1
Si/Ge intermixing during Ge Stranski-Krastanov growth.锗 Stranski-Krastanov 生长过程中的 Si/Ge 混晶。
Beilstein J Nanotechnol. 2014 Dec 9;5:2374-82. doi: 10.3762/bjnano.5.246. eCollection 2014.