• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Inversion Domain and Stacking Mismatch Boundaries in GaN.

作者信息

Northrup JE, Neugebauer J, Romano LT

出版信息

Phys Rev Lett. 1996 Jul 1;77(1):103-106. doi: 10.1103/PhysRevLett.77.103.

DOI:10.1103/PhysRevLett.77.103
PMID:10061782
Abstract
摘要

相似文献

1
Inversion Domain and Stacking Mismatch Boundaries in GaN.
Phys Rev Lett. 1996 Jul 1;77(1):103-106. doi: 10.1103/PhysRevLett.77.103.
2
Spiral growth and formation of stacking faults and vacancy islands during molecular beam epitaxy of InN on GaN(0001).在 GaN(0001)上进行分子束外延生长 InN 期间的螺旋生长和堆垛层错以及空位岛的形成。
Nanotechnology. 2011 Oct 21;22(42):425707. doi: 10.1088/0957-4484/22/42/425707. Epub 2011 Sep 23.
3
Inversion domain boundaries in ZnO with additions of Fe2O3 studied by high-resolution ADF imaging.通过高分辨率环形暗场成像研究添加Fe2O3的ZnO中的反演畴界。
Micron. 2007;38(5):549-52. doi: 10.1016/j.micron.2006.07.021. Epub 2006 Sep 7.
4
Spatial distribution of dislocations in relation to a substructure in high-quality GaN film.高质量 GaN 薄膜中与子结构相关的位错的空间分布。
Microsc Microanal. 2013 Aug;19 Suppl 5:127-30. doi: 10.1017/S1431927613012488.
5
Structure investigations of nonpolar GaN layers.非极性 GaN 层的结构研究。
J Microsc. 2010 Mar;237(3):308-13. doi: 10.1111/j.1365-2818.2009.03249.x.
6
Stacking and electric field effects in atomically thin layers of GaN.氮化镓原子层中的堆积和电场效应。
J Phys Condens Matter. 2013 Aug 28;25(34):345302. doi: 10.1088/0953-8984/25/34/345302. Epub 2013 Jul 29.
7
Using seed particle composition to control structural and optical properties of GaN nanowires.利用种子颗粒组成来控制 GaN 纳米线的结构和光学性质。
Nanotechnology. 2012 Jul 20;23(28):285603. doi: 10.1088/0957-4484/23/28/285603. Epub 2012 Jun 21.
8
Tunable band gaps in graphene/GaN van der Waals heterostructures.石墨烯/氮化镓范德华异质结构中的可调带隙
J Phys Condens Matter. 2014 Jul 23;26(29):295304. doi: 10.1088/0953-8984/26/29/295304. Epub 2014 Jul 1.
9
The importance of threading dislocations on the motion of domain boundaries in thin films.薄膜中穿线位错对畴界运动的重要性。
Science. 2005 May 27;308(5726):1303-5. doi: 10.1126/science.1109889.
10
Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH3 interrupted etching.采用脉冲NH₃中断刻蚀在r面蓝宝石上生长低缺陷密度非极性a面GaN
Opt Express. 2014 Feb 10;22(3):3585-92. doi: 10.1364/OE.22.003585.

引用本文的文献

1
Electric-field-induced domain walls in wurtzite ferroelectrics.纤锌矿铁电体中的电场诱导畴壁
Nature. 2025 May;641(8061):76-82. doi: 10.1038/s41586-025-08812-7. Epub 2025 Apr 16.
2
Eutectic Formation, V/III Ratio and Controlled Polarity Inversion in Nitrides on Silicon.硅基氮化物中的共晶形成、V/III 比与可控极性反转
Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys. 2019;257. doi: 10.1002/pssb.201900611.
3
The role of Si in GaN/AlN/Si(111) plasma assisted molecular beam epitaxy: polarity and inversion.硅在氮化镓/氮化铝/硅（111）等离子体辅助分子束外延中的作用：极性与反转。
Jpn J Appl Phys (2008). 2019 Jun;58(SC). doi: 10.7567/1347-4065/ab1124. Epub 2019 May 22.
4
Effect of screw threading dislocations and inverse domain boundaries in GaN on the shape of reciprocal-space maps.氮化镓中螺旋位错和反相畴界对倒易空间图形状的影响。
J Appl Crystallogr. 2017 Mar 22;50(Pt 2):555-560. doi: 10.1107/S1600576717003612. eCollection 2017 Apr 1.
5
Investigation of the non-volatile resistance change in noncentrosymmetric compounds.非中心对称化合物中非易失性电阻变化的研究。
Sci Rep. 2012;2:587. doi: 10.1038/srep00587. Epub 2012 Aug 17.