Suppr超能文献

硅突触电导

Silicon synaptic conductances.

作者信息

Rasche C, Douglas R J

机构信息

Institut für Neuroinformatik (ETHZ/UNIZ), Zürich, Switzerland.

出版信息

J Comput Neurosci. 1999 Jul-Aug;7(1):33-9. doi: 10.1023/a:1008963426194.

Abstract

We have developed compact analog integrated circuits that simulate two synaptic excitatory conductances. A four-transistor circuit captures the dynamics of an excitatory postsynaptic current caused by a real AMPA conductance. A six-transistor circuit simulates the effects of a real voltage-dependent NMDA conductance. The postsynaptic current dynamics are modeled by a current mirror integrator with adjustable gain. The voltage dependence of the silicon NMDA conductance is realized by a differential pair. We show the operation of these silicon synaptic conductances and their integration with the silicon neuron (Mahowald and Douglas, 1991).

摘要

我们已经开发出了能够模拟两种突触兴奋性电导的紧凑型模拟集成电路。一个四晶体管电路捕捉由真实的AMPA电导引起的兴奋性突触后电流的动态变化。一个六晶体管电路模拟真实的电压依赖性NMDA电导的效应。突触后电流动态由增益可调的电流镜积分器建模。硅NMDA电导的电压依赖性通过差分对实现。我们展示了这些硅突触电导的运行情况以及它们与硅神经元的集成(马霍瓦尔德和道格拉斯,1991年)。

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