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InAs/GaAs耦合量子点中激子的精细结构:电子耦合的灵敏测试

Fine structure of excitons in InAs/GaAs coupled auantum dots: a sensitive test of electronic coupling.

作者信息

Ortner G, Bayer M, Larionov A, Timofeev V B, Forchel A, Lyanda-Geller Y B, Reinecke T L, Hawrylak P, Fafard S, Wasilewski Z

机构信息

Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, D-44221 Dortmund, Germany.

出版信息

Phys Rev Lett. 2003 Feb 28;90(8):086404. doi: 10.1103/PhysRevLett.90.086404.

DOI:10.1103/PhysRevLett.90.086404
PMID:12633447
Abstract

Exciton fine structure in InAs/GaAs coupled quantum dots has been studied by photoluminescence spectroscopy in magnetic fields up to 8 T. Pronounced anticrossings and mixings of optically bright and dark states as functions of magnetic field are seen. A theoretical treatment of the mixing of the excitonic states has been developed, and it traces observed features to structural asymmetries. These results provide direct evidence for coherent coupling of excitons in quantum dot molecules.

摘要

通过在高达8特斯拉的磁场中进行光致发光光谱研究,对InAs/GaAs耦合量子点中的激子精细结构进行了研究。观察到了光学亮态和暗态作为磁场函数的明显反交叉和混合现象。已经发展了激子态混合的理论处理方法,并将观察到的特征归因于结构不对称性。这些结果为量子点分子中激子的相干耦合提供了直接证据。

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