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分子晶体管中的振动边带与近藤效应

Vibrational sidebands and the Kondo effect in molecular transistors.

作者信息

Paaske Jens, Flensberg Karsten

机构信息

Institut für Theorie der Kondensierten Materie, Universität Karlsruhe, 76128 Karlsruhe, Germany.

出版信息

Phys Rev Lett. 2005 May 6;94(17):176801. doi: 10.1103/PhysRevLett.94.176801. Epub 2005 May 2.

DOI:10.1103/PhysRevLett.94.176801
PMID:15904323
Abstract

Electron transport through molecular quantum dots coupled to a single vibrational mode is studied in the Kondo regime. We apply a generalized Schrieffer-Wolff transformation to determine the effective low-energy spin-spin-vibron interaction. From this model we calculate the nonlinear conductance and find Kondo sidebands located at bias voltages equal to multiples of the vibron frequency. Because of selection rules, the side peaks are found to have strong gate-voltage dependences, which can be tested experimentally. In the limit of weak electron-vibron coupling, we employ a perturbative renormalization group scheme to calculate analytically the nonlinear conductance.

摘要

在近藤区研究了通过与单一振动模式耦合的分子量子点的电子输运。我们应用广义施里弗 - 沃尔夫变换来确定有效的低能自旋 - 自旋 - 振子相互作用。从这个模型我们计算了非线性电导,并发现近藤边带位于偏置电压等于振子频率倍数的位置。由于选择定则,发现边峰具有很强的栅极电压依赖性,这可以通过实验进行测试。在弱电子 - 振子耦合的极限情况下,我们采用微扰重整化群方案来解析计算非线性电导。

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